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第三代半導體在我國發展的開端應追溯至2013年。當年我國科技部制定“863計劃”首次明確將第三代半導體產業劃定為國家戰略發展產
第三代半導體在我國發展的開端應追溯至2013年。當年我國科技部制定“863計劃”首次明確將第三代半導體產業劃定為國家戰略發展產業。隨后2016年，國務院國家新產業發展小組將第三半導體產業列為發展重點之一。至此，我國企業開始加大對第三半導體研發投入。2018年中車時代電氣建成了我國首條6英寸碳化硅SiC生產線。同年泰科天潤建成了我國首條碳化硅SiC器件生產線。2019年，三安集成建成了我國首條6英寸氮化鎵GaN外延芯片產線并投入量產。2020年華潤微宣布國內首條6英寸商用SiC晶圓生產線正式量產。2020年第三代半導體產業被編入了我國“十四五”規劃。截至當年底，我國SiC導電型襯底折算4英寸產能約40萬片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸產能約為22萬片/年，SiC-onSiC器件/模塊(4/6英寸兼容)產能約26萬片/年。GaN-on-Si外延片折算6英寸產能約為28萬片/年，GaN-on-Si器件/模塊折算6英寸產能約為22萬片/年。2021年，我國SiC襯底環節新增投產項目超過7項，新增投產年產能超過57萬片。目前，GaN電力電子器件主要應用在快充領域。SiC電力電子器件重點應用于新能源汽車和充電樁領域。隨著，新能源汽車、5G、PD快充等市場的快速發展，我國國產第三代半導體產能無法滿足市場需求。據統計，目前超過八成產品來自進口。2021年我國第三代半導體產業，在電力電子和射頻電子兩個領域，實現總產值達127億元。其中SiC、GaN電力電子產值規模達58億元。GaN微波射頻產值達到69億元。在國家政策的穩定支持和下游應用市場需求支撐下，預計2027年，我國SiC、GaN電力電子器件應用市場有望超660億元，GaN微波射頻器件市場超240億元。2027年我國第三代半導體整體市場規模有望超過900億元。SEMI-e 2022深圳國際半導體技術暨應用展將于2022年12月7-9日，在深圳國際會展中心17號館（展示面積：5萬平米）舉行。由中國通信工業協會、深圳市半導體行業協會、廣東省集成電路行業協會、廣州市半導體行業協會、江蘇省半導體行業協會、浙江省半導體行業協會、成都市集成電路行業協會、深圳市中新材會展有限公司聯合主辦。* SEMI-e上屆展會現場照片本屆展會重點打造的以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導體展區以及第三代半導體產業發展高峰論壇等系列同期活動。誠邀您前來交流！
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2022-11-25
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